[发明专利]电流注入式有机半导体激光二极管、其制造方法及程序有效
| 申请号： | 201880003730.3 | 申请日： | 2018-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN109792134B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | S·D·A·桑达纳亚卡;松岛敏则;F·本切克;合志宪一;J-C·里贝里;安达千波矢;藤原隆 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人九州大学;株式会社考拉科技 |
| 主分类号： | H01S5/36 | 分类号： | H01S5/36 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 龚泽亮;庞东成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电流注入式有机半导体激光二极管，其包括一对电极、光学谐振器结构及一个以上的包含由有机半导体组成的光放大层的有机层，所述电流注入式有机半导体激光二极管在电流注入期间，激子密度的分布与谐振光模式的电场强度分布之间存在足够的重叠以发射激光。 | ||
| 搜索关键词： | 电流 注入 有机半导体 激光二极管 制造 方法 程序 | ||
【主权项】：
1.一种电流注入式有机半导体激光二极管，其包括：一对电极、光学谐振器结构及一个以上的包含由有机半导体组成的光放大层的有机层，所述电流注入式有机半导体激光二极管在电流注入期间，激子密度的分布与谐振光模式的电场强度分布之间存在足够的重叠以发射激光。
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