[发明专利]自旋轨道转矩型磁化旋转元件、自旋轨道转矩型磁阻效应元件及磁存储器有效
| 申请号： | 201880003798.1 | 申请日： | 2018-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN110392931B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木智生 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/82 | 分类号： | H01L29/82;H01L21/8239;H01L27/105;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;陈明霞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其具备沿第一方向延伸的自旋轨道转矩配线和层叠于所述自旋轨道转矩配线的一面的第一铁磁性层，所述自旋轨道转矩配线从所述第一铁磁性层侧起具有第一配线和第二配线，所述第一配线及所述第二配线均为金属，所述第一配线与所述第二配线相比，至少在‑40℃～100℃的温度区域中的电阻率的温度依存性大。 | ||
| 搜索关键词： | 自旋 轨道 转矩 磁化 旋转 元件 磁阻 效应 磁存储器 | ||
【主权项】：
1.一种自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其中，具备：沿第一方向延伸的自旋轨道转矩配线、和层叠于所述自旋轨道转矩配线的一面的第一铁磁性层，所述自旋轨道转矩配线从所述第一铁磁性层侧起具有第一配线和第二配线，所述第一配线及所述第二配线均为金属，所述第一配线与所述第二配线相比，至少在‑40℃～100℃的温度区域中的电阻率的温度依存性大。
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