[发明专利]光致产酸剂和包含其的用于厚膜的化学增幅型正性光致抗蚀剂组合物有效
| 申请号： | 201880003820.2 | 申请日： | 2018-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN109791355B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 林敏映;李泰燮;金智慧 | 申请（专利权）人： | 株式会社LG化学 |
| 主分类号： | G03F7/004 | 分类号： | G03F7/004;G03F7/039;C07D221/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵丹;冷永华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及光致产酸剂和包含其的用于厚膜的化学增幅型正性光致抗蚀剂组合物。所述光致产酸剂不仅可以表现出在光致抗蚀剂组合物的溶剂中的高溶解度，而且还可以表现出化学稳定性和热稳定性以及高感光度。具体地，所述光致产酸剂通过光分解而产生酸，同时可以表现出对金属基底的防腐蚀效果。 | ||
| 搜索关键词： | 光致产酸剂 包含 用于 化学 增幅 型正性光致抗蚀剂 组合 | ||
【主权项】：
1.一种非离子型光致产酸剂，包含至少一个由以下化学式1表示的官能团：[化学式1]![]()
其中，在化学式1中，R1为经卤素原子、烷基硫基和脂环族烃基中的至少一者取代或未经取代的C1至C10脂族烃基；C1至C10全氟烷基；经卤素原子、烷基硫基、烷基和酰基中的至少一者取代或未经取代的C6至C20芳基；或者经卤素原子和烷基硫基取代或未经取代的C7至C20芳基烷基，以及Z为衍生自三唑的二价基团。
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