[发明专利]一种发光二极管元件及其制作方法在审
| 申请号： | 201880003917.3 | 申请日： | 2018-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN109891610A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 黄少华;曾晓强;张灿源;杨剑锋 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/14;H01L33/20;H01L33/44;H01L33/48;H01L33/64;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管元件及其制作方法，主要用高压、大电流密度的工作条件，其第一电极和第二电极朝向正侧，第一导电层背侧与基板正侧连接，第一导电层正侧与第一类型半导体层的背侧接触面积大于第一半导体层面积的1.5%，从凹处延伸的绝缘层覆盖在第二导电层的背侧，任意相邻的两个发光二极管单元其中一个发光二极管单元的第二导电层与另一个发光二极管单元的第一导电层设有一体连接的连接部，复数个发光二极管单元共用同一支撑和散热基板的，本发明提高了发光二极管元件的可靠性，避免或减少在大电流密度下发光二极管元件寿命过短的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管单元 发光二极管元件 第一导电层 第二导电层 绝缘层覆盖 类型半导体 半导体层 第二电极 第一电极 散热基板 一体连接 侧接触 侧连接 凹处 复数 制作 延伸 支撑 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管元件，包括复数个发光二极管单元，发光二极管单元之间采用串联式连接；发光二极管单元之间的半导体层序列相互隔离，半导体层序列具有第一类型半导体层和第二类型半导体层以及位于两者之间设计用于产生辐射的有源层，其中第一类型半导体层位于半导体层序列的正侧，半导体层序列包含一个或复数个覆盖有绝缘层的凹处，凹处从半导体层序列的与正侧对置的背侧穿过有源层延伸到第一类型半导体层，第一导电层穿过凹处来电连接第一类型半导体层，第二导电层位于第二类型半导体层的背侧并与第二类型半导体层电性连接，第一导电层与第二导电层之间借助凹处延伸的绝缘层来彼此电绝缘，复数个发光二极管单元的第一个发光二极管单元至少裸露出部分第一导电层，具有与其裸露的第一导电层电连接的第一电极，最后一个发光二极管单元至少裸露出部分第二导电层，具有与其第二导电层电连接的第二电极；其特征在于，第一电极和第二电极朝向正侧，每个发光二极管的第一导电层背侧与基板正侧连接，第一导电层正侧与第一类型半导体层的背侧接触面积大于第一半导体层面积的1.5%；从凹处延伸的绝缘层覆盖在第二导电层的背侧，任意相邻的两个发光二极管单元其中一个发光二极管单元的第二导电层与另一个发光二极管单元的第一导电层设有一体连接的连接部，复数个发光二极管单元共用同一支撑和散热基板。
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