[发明专利]基底疏水化的方法

摘要

本发明涉及用于基底表面的疏水化的方法，并且可以用于制备提取和储存天然气样品用气体运载系统中的基底，例如用于储存气体的容器和供应管，用于石油和天然气工业中产品的品质控制用系统，用于化学分析实验室中，用于制造分析仪器和色谱仪，用于商业计量装置，用于测量主要天然气管道中的天然气和液化烃气体的量和品质特征的系统。用于基底的疏水化的方法包括包含准备至少一个基底表面和在至少一个基底表面上沉积非晶硅的步骤。基底表面准备步骤包括在25℃至35℃的温度下使用有机溶剂清洁表面，在20℃至30℃的温度下用无机酸的溶液处理表面，以及在惰性气体气氛中干燥基底表面。

主权项

1.一种使基底疏水化的方法，所述方法包括以下步骤：a)准备所述基底的至少一个表面，包括：‑在25℃至35℃的温度下用有机溶剂清洁所述基底的至少一个表面，‑在20℃至30℃的温度下用无机酸的溶液处理所述基底的所述至少一个表面，‑在惰性气体气氛中干燥所述基底的所述至少一个表面；b)在所述基底的至少一个表面上沉积非晶硅。