[发明专利]自旋轨道转矩型磁化旋转元件、自旋轨道转矩型磁阻效应元件及磁存储器有效
| 申请号： | 201880004343.1 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN110392932B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 中田胜之;盐川阳平 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/82 | 分类号： | H01L29/82;H01F10/14;H01F10/16;H10N50/10;H10B99/00;H10N50/80;H10B61/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
该自旋轨道转矩型磁化旋转元件具备沿着第一方向延伸的自旋轨道转矩配线和层叠于所述自旋轨道转矩配线的第一铁磁性层，所述自旋轨道转矩配线包含化学计量组成中以XYZ或X |
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| 搜索关键词： | 自旋 轨道 转矩 磁化 旋转 元件 磁阻 效应 磁存储器 | ||
【主权项】：
1.一种自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其中，具备：自旋轨道转矩配线，其沿着第一方向延伸；和第一铁磁性层，其层叠于所述自旋轨道转矩配线，所述自旋轨道转矩配线包含化学计量组成中以XYZ或X2YZ表示的化合物，在所述化合物为X2YZ的情况下，所述自旋轨道转矩配线的主骨架为包含L21结构、B2结构、A2结构中的任意种的结构，在所述化合物为XYZ的情况下，所述自旋轨道转矩配线的主骨架为包含C1b结构、B2结构、A2结构中的任意种的结构。
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