[发明专利]R－T－B系烧结磁体的制造方法有效
| 申请号： | 201880004478.8 | 申请日： | 2018-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN109983553B | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 国吉太 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;C22C28/00;C22C38/00;H01F1/057 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 准备R1－T－B系烧结磁体原材料、R2－Ga合金。烧结磁体原材料含有R：27.5～35.0质量％、B：0.80～0.99质量％、Ga：0～0.8质量％、M：0～2质量％(M为Cu、Al、Nb、Zr中的至少一种)、T：60质量％以上。使烧结磁体原材料表面的至少一部分与R2－Ga合金的至少一部分接触，在700℃以上950℃以下的温度实施第一热处理，由此使烧结磁体原材料所含的RH量增加0.05质量％以上0.40质量％以下的扩散工序；和以450℃以上750℃以下的温度、且以低于上述第一热处理温度的温度实施第二热处理。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 磁体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于，包括：准备R1－T－B系烧结磁体原材料的工序，所述R1－T－B系烧结磁体原材料含有：R1：27.5质量％以上35.0质量％以下，其中R1为稀土元素中的至少一种，必需包含Nd和Pr中的至少一者、B：0.80质量％以上0.99质量％以下、Ga：0质量％以上0.8质量％以下、M：0质量％以上2.0质量％以下，其中M为Cu、Al、Nb、Zr中的至少一种、T：60质量％以上，其中T为Fe或者Fe和Co，相对于T整体的Fe的含量为85质量％以上；准备R2－Ga合金的工序，其中R2为稀土元素中的至少两种，必需包含Tb和Dy中的至少一者、以及Pr和Nd中的至少一者，能够将Ga的50质量％以下利用Cu和Sn中的至少一者替代；扩散工序，使所述R1－T－B系烧结磁体原材料表面的至少一部分与所述R2－Ga合金的至少一部分接触，在真空或非活泼气体气氛中、在700℃以上950℃以下的温度实施第一热处理，由此使所述R1－T－B系烧结磁体原材料所含的Tb和Dy中的至少一者的含量增加0.05质量％以上0.40质量％以下；和对实施所述第一热处理后的R1－T－B系烧结磁体原材料，在真空或非活泼气体气氛中、以450℃以上750℃以下的温度、且以低于所述第一热处理温度的温度实施第二热处理的工序。
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