[发明专利]雪崩光电二极管传感器

摘要

雪崩光电二极管传感器包括设置在基板中并将入射光转换成电荷的光电转换区域。雪崩光电二极管传感器包括位于光电转换区域上的第一导电类型的第一区域，以及以与第一区域相邻的方式设置在基板中并连接到光电转换区域的阴极。雪崩光电二极管传感器包括以与阴极相邻的方式设置在基板中的阳极，以及设置在基板中的第一导电类型的触点。第一区域的杂质浓度不同于触点的杂质浓度。

主权项

1.一种雪崩光电二极管传感器，其包括：光电转换区域，所述光电转换区域设置在基板中并将入射光转换成电荷；第一导电类型的第一区域，所述第一区域位于所述光电转换区域上；阴极，所述阴极以与所述第一区域相邻的方式设置在所述基板中，并且所述阴极连接到所述光电转换区域；阳极，所述阳极以与所述阴极相邻的方式设置在所述基板中；以及所述第一导电类型的触点，所述触点设置在所述基板中，所述第一区域的杂质浓度不同于所述触点的杂质浓度。