[发明专利]具有延伸电介质层的电容器结构和形成电容器结构的方法有效
| 申请号： | 201880004782.2 | 申请日： | 2018-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN110050316B | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | R·L·叶奇;R·布雷思韦特 | 申请（专利权）人： | 密克罗奇普技术公司 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;H01G4/10;H01G4/12;H01L49/02;H01L49/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王艳娇 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电容器结构，所述电容器结构可包括下导电层(例如，多晶硅1层)和上导电层(例如，上覆多晶硅2层)以及位于所述上导电层和所述下导电层之间的电介质层(例如，ONO层堆叠)，所述导电层限定阳极和阴极，其中所述电介质层的一部分(例如，至少为所述ONO层堆叠的氮化物层)延伸超出所述上导电层的侧向边缘。形成此类电容器结构的方法可利用邻近所述上导电层的所述侧向边缘并且在所述电介质层的所述第一部分上方的间隔物，执行蚀刻以移除所述电介质层的第一部分但保护位于所述间隔物下方并横向延伸超出所述上导电层的边缘的第二部分。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 延伸 电介质 电容器 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电容器结构，包括：上导电层；下导电层；和电介质层，所述电介质层位于所述上导电层和所述下导电层之间，其中所述电介质层的一部分延伸超出所述上导电层的侧向边缘。
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