[发明专利]半导体芯片的制造方法

摘要

通过从表面(S)侧照射SF6气体等离子体，对在切割道部分露出的半导体晶片(1)进行蚀刻，分割成各个半导体芯片而进行单片化。接着，从表面(S)侧供给除去剂(16)。此时，优选使分割成芯片的半导体晶片(1)高速旋转。通过以上，利用除去剂(16)将残留在表面(S)上的掩模材料层(3b)去除。需要说明的是，作为除去剂(16)，优选为有机溶剂，特别优选为甲基乙基酮、乙醇或乙酸乙酯、或者它们的组合。

主权项

1.一种半导体芯片的制造方法，其特征在于，具备下述工序：工序a，将具有表面保护带和设置在所述表面保护带上的掩模材料层的掩模一体型表面保护带贴合在半导体晶片的图案面侧，对所述半导体晶片的背面进行磨削，将晶片固定带贴合在磨削后的所述半导体晶片的背面，用环状框架支撑固定；工序b，将所述表面保护带从所述掩模一体型表面保护带剥离，使所述掩模材料层露出于表面后，利用激光对所述掩模材料层中相当于所述半导体晶片的切割道的部分进行切割，开口出所述半导体晶片的所述切割道；等离子体切割工序c，利用等离子体照射将所述半导体晶片在所述切割道处进行分割，单片化成半导体芯片；和工序d，利用除去剂除去所述掩模材料层。