[发明专利]等离子体处理装置及等离子体处理方法在审
| 申请号： | 201880005229.0 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN111373511A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 岩濑拓;荒濑高男;寺仓聪志;渡边勇人;森政士 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李国华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 为了实现在改善前端变细的形状的同时抑制蚀刻速率下降的等离子体蚀刻方法，等离子体处理装置具备对试料进行等离子体处理的处理室、供给用于生成等离子体的高频电力的第一高频电源、载置试料的试料台以及向试料台供给高频电力的第二高频电源，其中，该等离子体处理装置还具备控制部，对第一高频电源和第二高频电源进行控制，使得使用由溴化氢气体、氢氟烃气体以及含氮元素气体的混合气体生成的等离子体，对硅氧化膜与多晶硅交替层叠而得到的层叠膜或硅氧化膜与硅氮化膜交替层叠而得到的层叠膜进行蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
