[发明专利]用于测试三维存储器设备的结构和方法

摘要

公开了用于测试三维(3D)存储器设备的结构和方法。3D存储器设备(100)包括存储器阵列结构(102)、外围设备结构(104)、与存储器阵列结构(102)的正面和外围设备结构(104)的正面相接触的互连层(106)、以及位于存储器阵列结构(102)的背面并且与存储器阵列结构(102)重叠的导电衬垫。存储器阵列结构(102)包括存储器阵列堆叠(109)、垂直延伸穿过至少一部分存储器阵列堆叠(109)的贯穿阵列接触(TAC)(110)、以及存储器阵列接触(112)。外围设备结构(104)包括测试电路(126)。互连层(106)包括互连结构(116、124)。导电衬垫(108)、TAC(110)、互连结构(116、124)、以及测试电路(126)与存储器阵列接触(112)中的至少一者是电连接的。

主权项

1.一种存储器设备，包括：存储器阵列结构，包括：存储器阵列堆叠；贯穿阵列接触(TAC)，其垂直延伸穿过所述存储器阵列堆叠的至少一部分；以及一个或多个存储器阵列接触；第一介电质层，位于所述存储器阵列结构的正面；多个第一接触，位于所述第一介电质层中；多个导电衬垫，位于所述存储器阵列结构的背面；互补金属氧化物半导体(CMOS)结构；金属层，位于所述CMOS结构的正面，所述金属层包括多个金属图案；第二介电质层，位于所述金属层上；以及多个第二接触，位于所述第二介电质层中；其中，所述第一介电质层和所述第二介电质层是面对面地连接的，使得所述存储器阵列结构在所述CMOS结构上方，并且至少通过所述多个导电衬垫、所述TAC、所述多个第一接触、所述多个第二接触、在所述金属层中的所述多个金属图案、以及所述一个或多个存储器阵列接触中的至少一个存储器阵列接触来形成一个或多个电连接。