[发明专利]用于使用自对准双图案化来切割密集线图案的方法和结构

摘要

用于形成半导体结构的方法的实施例包括：在衬底上沉积绝缘层，在绝缘层上沉积第一介电质层，并在第一介电质层上形成多个心轴线。所述方法还包括：以第一掩模形成一组或多组不连续心轴线对，其中一组或多组中的每组包括2N个不连续心轴线对、以及间隙线与间隙沟道的N个交叉，其中N是整数。所述方法还包括：在心轴线与不连续心轴线对上沉积第二介电质层，并在心轴线与不连续心轴线对的侧壁上形成介电质间隙壁。所述方法还包括：移除心轴线与不连续心轴线对以形成间隙壁掩模，使用第二掩模形成一组或多组阻挡区，以及利用间隙壁掩模与第二掩模的结合而形成延伸穿过第一介电质层的开口。所述方法也包括：移除间隙壁掩模与第二掩模以暴露出第一介电质层的顶表面，在开口中沉积目标材料，并形成具有顶表面与第一介电质层顶表面位于同一平面的目标线。

主权项

1.一种用于形成半导体结构的方法，包括：在衬底上沉积绝缘层；在所述绝缘层上沉积第一介电质层；在所述第一介电质层上形成多个心轴线；利用第一掩模形成一组或多组不连续心轴线对，其中所述一个或多个群组中的每一个群组包括：2N个的不连续心轴线对；以及间隙线与间隙沟道的N个交叉，其中N是整数；在所述心轴线以及所述不连续心轴线对上沉积第二介电质层；在所述心轴线以及所述不连续心轴线对的侧壁上形成介电质间隙壁；移除所述心轴线以及所述不连续心轴线对，以形成间隙壁掩模；使用第二掩模来形成一组或多组阻挡区；利用所述间隙壁掩模和所述第二掩模的结合，形成延伸穿过所述第一介电质层的多个开口；移除所述间隙壁掩模和所述第二掩模，以暴露所述第一介电质层的顶表面；在所述开口中沉积目标材料；以及形成具有顶表面与所述第一介电质层的顶表面位于同一平面的目标线。