[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201880005380.4 | 申请日： | 2018-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN110114861B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 吉村尚;泷下博;宫原清一 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L21/329;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张欣;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用抗蚀保护膜(22)保护表面电极(7)和聚酰亚胺保护膜(8)的表面。接着，在将BG胶带(23)贴附于抗蚀保护膜(22)的状态下对半导体基板(10)进行背面磨削而减薄到产品厚度(t)。接下来，在剥离BG胶带(23)之后，在半导体基板(10)的磨削后的背面的表面层形成预定的扩散区。接下来，以100℃以上的温度将抗蚀保护膜(22)加热，使抗蚀保护膜(22)中的水蒸发。接下来，从半导体基板(10)的背面照射激光(25)，进行半导体基板(10)的背面侧的扩散区的杂质活化。接着，除去半导体基板(10)的正面的抗蚀保护膜(22')。这样，在对半导体晶片的一个主面进行用于杂质活化的热处理时，能够抑制保护半导体晶片的另一个主面的抗蚀保护膜(22')的变质和/或剥落、变形。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：第1形成工序，在半导体基板的正面形成元件结构；第2形成工序，在所述半导体基板的正面形成抗蚀保护膜，用所述抗蚀保护膜保护所述元件结构；第3形成工序，从所述半导体基板的背面导入杂质而在所述半导体基板的背面侧形成扩散区；激光退火工序，通过从所述半导体基板的背面照射激光而将所述半导体基板的背面侧加热，从而使所述杂质活化；以及除去工序，除去所述抗蚀保护膜，所述半导体装置的制造方法在所述激光退火工序之前还包括烘烤工序，所述烘烤工序以100℃以上的温度将所述抗蚀保护膜加热，使所述抗蚀保护膜中的水蒸发。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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