[发明专利]三维存储器件的存储单元结构有效
| 申请号： | 201880005478.X | 申请日： | 2018-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN110168731B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 戴晓望;吕震宇;陈俊;陶谦;胡禺石;朱继锋;董金文;夏季;张中;李艳妮 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11578 | 分类号： | H01L27/11578;H01L27/11573 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 多个实施例公开了一种3D存储器件，包括基底；多个导体层，设置于该基底上；多个NAND串，设置于该基底上；以及多个缝隙结构，设置于该基底上。多个NAND串可垂直于该基底排列且以具有多个六角形的六角形晶格取向的方式排列。每个六角形包括三对的侧边，且第一对的侧边垂直于第一方向且平行于第二方向。该第二方向垂直于该第一方向。多个缝隙结构可沿该第一方向延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储 器件 单元 结构 | ||
【主权项】：
1.一种三维(3D)存储器件，包括：基底；多个导体层，设置于该基底上；多个NAND串，设置于该基底上；以及多个缝隙结构，设置于该基底上，其中所述多个NAND串垂直于该基底排列且以具有多个六角形的六角形晶格取向的方式排列，每个六角形包括三对的侧边，其中第一对的侧边垂直于第一方向且平行于第二方向，且该第二方向垂直于该第一方向，以及所述多个缝隙结构沿该第一方向延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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