[发明专利]显示装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201880005518.0 | 申请日： | 2018-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN110121782A | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 金荣现;孙成寿;李宗益;竹谷元伸 | 申请（专利权）人： | 首尔半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/36 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 李盛泉;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种显示装置及其制造方法，根据本发明的一实施例的包括发光二极管芯片的显示装置包括：发光结构体，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及夹设于所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间的活性层；第二电极，与所述第二导电型半导体层电连接；绝缘部，布置为覆盖所述第二电极的部分上表面和所述发光结构体的侧表面；第二固定部，覆盖所述绝缘部的上部，与所述第二电极电连接，并且至少一部分向所述发光结构体的侧表面延伸。根据本发明，具有即使减少发光二极管芯片的发光面积从而被供应的电流的大小较小，也可以提高发光二极管芯片中流动的电流密度的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 导电型半导体层 发光二极管芯片 发光结构体 第二电极 显示装置 侧表面 电连接 绝缘部 固定部 活性层 上表面 夹设 覆盖 制造 发光 延伸 流动 | ||
【主权项】：
1.一种包括发光二极管芯片的显示装置，其中，所述发光二极管芯片包括：发光结构体，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及夹设于所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间的活性层；第二电极，与所述第二导电型半导体层电连接；绝缘部，布置为覆盖所述第二电极的部分上表面和所述发光结构体的侧表面；第二固定部，覆盖所述绝缘部的上部，与所述第二电极电连接，并且至少一部分向所述发光结构体的侧表面延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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