[发明专利]单晶硅晶片的缺陷区域判定方法有效
| 申请号： | 201880005708.2 | 申请日： | 2018-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN110121576B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 齐藤久之 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;刘言 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种单晶硅晶片的缺陷区域判定方法，其判定单晶硅晶片的缺陷区域，其特征在于，不对所述单晶硅晶片进行热处理，利用LST按照大小测量所述单晶硅晶片表面的Void缺陷分布，并根据通过该测量获得的Void缺陷密度分布来判定缺陷区域。由此，提供一种单晶硅晶片的缺陷区域判定方法，其不依赖初始氧浓度，能够用容易的方法进行晶片的缺陷区域的判定。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 晶片 缺陷 区域 判定 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅晶片的缺陷区域判定方法，其判定单晶硅晶片的缺陷区域，其特征在于，不对所述单晶硅晶片进行热处理，利用LST按照大小测量所述单晶硅晶片表面的Void缺陷分布，并根据通过该测量获得的Void缺陷密度分布来判定缺陷区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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