[发明专利]半导体装置及其工作方法、电子构件以及电子设备有效

专利信息
申请号: 201880006239.6 申请日: 2018-01-09
公开(公告)号: CN110168642B 公开(公告)日: 2023-08-01
发明(设计)人: 石津贵彦;斋藤利彦 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: G11C5/14 分类号: G11C5/14;G06F12/00;G11C14/00
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 金春实
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 高效地降低半导体装置的功耗。半导体装置包括电源管理装置、单元阵列以及用来驱动单元阵列的外围电路。单元阵列包括字线、位线对、存储单元、备份存储单元的数据的备份电路。行电路及列电路设置在能够进行电源门控的第一电源定域,单元阵列设置在能够进行电源门控的第二电源定域。作为存储装置的工作模式设定其功耗比待机模式低的多个低功耗模式。电源管理装置从多个低功耗模式选择一个而进行用来将存储装置转移到所选择的低功耗模式的控制。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 工作 方法 电子 构件 以及 电子设备
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:设置在第一电源定域的外围电路;设置在第二电源定域的单元阵列;以及用来进行所述第一电源定域及所述第二电源定域的电源管理的电源管理装置,其中,所述单元阵列包括存储单元、备份电路、字线及由第一位线和第二位线构成的位线对,所述存储单元包括具有第一节点及第二节点的双稳态电路、用来控制所述第一节点和所述第一位线间的导通状态的第一转移晶体管以及用来控制所述第二节点和所述第二位线间的导通状态的第二转移晶体管,所述第一转移晶体管及所述第二转移晶体管的栅极与所述字线电连接,所述备份电路、所述字线及所述位线对与所述外围电路电连接,通过所述电源管理装置的控制,所述外围电路进行所述存储单元和所述备份电路间的数据的写入及读出,作为工作状态至少设定第一至第七状态,在所述第一状态下进行对所述单元阵列写入数据的工作,在所述第二状态下进行从所述单元阵列读出数据的工作,所述第三状态是待机状态,在所述第四状态下,所述位线对处于浮动状态,在所述第一至第四状态下,通过所述电源管理装置的控制,所述第一电源定域被供应第一电压,并且所述第二电源定域被供应第二电压,在所述第五状态下,所述位线对处于浮动状态,通过所述电源管理装置的控制,对所述第一电源定域供应所述第一电压,并且对所述第二电源定域供应低于所述第二电压的第三电压,在所述第六状态下,所述位线对处于浮动状态,通过所述电源管理装置的控制,所述第一电源定域被供应所述第一电压,并且对所述第二电源定域进行电源门控,并且,在所述第七状态下,通过所述电源管理装置的控制,对所述第一电源定域及所述第二电源定域进行电源门控。
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