[发明专利]陶瓷电路基板的制造方法有效

专利信息
申请号: 201880006597.7 申请日: 2018-01-16
公开(公告)号: CN110169213B 公开(公告)日: 2022-05-27
发明(设计)人: 酒井笃士;谷口佳孝;山田铃弥 申请(专利权)人: 电化株式会社
主分类号: H05K3/14 分类号: H05K3/14;B22F1/065;B22F3/04;B32B15/04;B32B37/02;C22C9/00;C22C21/00;C23C24/04
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 杨宏军;唐峥
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明公开了制造陶瓷电路基板的方法,所述陶瓷电路基板具备陶瓷基材和形成于陶瓷基材上的金属电路。公开的方法包括下述工序:将包含铝粒子或铝合金粒子中的至少一者的第一金属粉体与非活性气体一起从喷嘴向陶瓷基材的表面吹喷,由此形成与陶瓷基材接触的第一金属层的工序,其中,第一金属粉体被加热至10~270℃后从喷嘴10喷出,喷嘴10的入口处的非活性气体的表压为1.5~5.0MPa;及在非活性气体气氛下对第一金属层进行加热处理的工序等。
搜索关键词: 陶瓷 路基 制造 方法
【主权项】:
1.制造陶瓷电路基板的方法,所述陶瓷电路基板具备陶瓷基材、和形成于所述陶瓷基材上的金属电路,所述金属电路具有:包含铝或铝合金中的至少一者的第一金属层、和包含铜或铜合金中的至少一者的第二金属层,所述方法包括下述工序:将包含铝粒子或铝合金粒子中的至少一者的第一金属粉体与非活性气体一起从喷嘴向陶瓷基材的表面吹喷,由此形成与所述陶瓷基材接触的所述第一金属层的工序,其中,所述第一金属粉体被加热至10~270℃后从所述喷嘴喷出,所述喷嘴的入口处的所述非活性气体的表压为1.5~5.0MPa;在非活性气体气氛下对形成于所述陶瓷基材上的所述第一金属层进行加热处理的工序;将包含铜粒子或铜合金粒子中的至少一者的第二金属粉体与非活性气体一起从喷嘴向所述第一金属层的表面吹喷,由此形成与所述第一金属层接触的所述第二金属层的工序,其中,所述第二金属粉体被加热至10~650℃后从所述喷嘴喷出,所述喷嘴的入口处的所述非活性气体的表压为1.5~5.0MPa,以所述第一金属层的端面与所述第二金属层的端面处于同一平面内、或者所述第一金属层的端面比所述第二金属层的端面更向外侧突出的方式形成所述第二金属层;及在非活性气体气氛下对形成于所述第一金属层上的所述第二金属层进行加热处理的工序。
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