[发明专利]高阶节点工艺后端处理的蚀刻后残留物去除在审
| 申请号： | 201880006796.8 | 申请日： | 2018-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN110177903A | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | E·I·库珀;M·佩恩;金万涞;E·洪;涂胜宏;王界入;许家荣 | 申请（专利权）人： | 恩特格里斯公司 |
| 主分类号： | C23G1/24 | 分类号： | C23G1/24;C23G1/20;H01L21/02;H01L21/768;C11D11/00;G03F7/42;C23G1/18;C23G1/26;C09K13/08 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 李婷 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在使用含铝蚀刻停止层的半导体的生产中帮助去除蚀刻后残留物及含铝材料、例如氧化铝的清洁组合物。所述组合物相对于低k介电材料、含钴材料和微电子装置上的其它金属对蚀刻后残留物和含铝材料具有高选择性。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻后残留物 含铝材料 去除 低k介电材料 清洁组合物 微电子装置 高选择性 含钴材料 后端处理 铝蚀刻 停止层 氧化铝 高阶 半导体 金属 帮助 生产 | ||
【主权项】：
1.一种清洁组合物，其包括：(a)浓缩物，其包括至少一种金属腐蚀抑制剂、至少一种蚀刻剂来源、至少一种二氧化硅来源、至少一种螯合剂、和至少一种溶剂，和(b)至少一种氧化剂，其中所述清洁组合物适合于从其上具有蚀刻后残留物和含铝材料的微电子装置的表面去除所述蚀刻后残留物和含铝材料。
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