[发明专利]碳化硅半导体装置

摘要

使得从相对于半导体衬底的表面的法线方向观察时小平面(F)不与沟槽栅构造的前端重叠。由此，用来形成沟槽栅构造的沟槽(6)的底面的深度变得均匀，能够以在底面没有凹凸的状态形成栅极绝缘膜(7)，所以能够使栅极绝缘膜(7)的膜厚成为一定。因而，能够将p型深层(5)及p型深层(30)形成到较深的位置，并且能够得到栅极绝缘膜(7)的耐压。

主权项

1.一种碳化硅半导体装置，具备纵型的半导体元件，该纵型的半导体元件具有：半导体衬底(1、2)，背面侧为第1导电型或第2导电型的高浓度杂质层(1)，并且正面侧为与上述高浓度杂质层相比被设为低杂质浓度的第1导电型的漂移层(2)，上述半导体衬底由碳化硅构成；基极区(3)，形成在上述漂移层(2)之上，由第2导电型的碳化硅构成；源极区(4)，形成在上述基极区之上，由与上述漂移层相比为高杂质浓度的第1导电型的碳化硅构成；第2导电型的深层(5、30)，比上述基极区深，被构成为高杂质浓度；沟槽栅构造，形成在栅极沟槽(6)内，具有形成在该栅极沟槽的内壁面的栅极绝缘膜(7)、和形成在上述栅极绝缘膜之上的栅极电极(8)，该沟槽栅构造将一方向作为长边方向，上述栅极沟槽(6)从上述源极区的表面形成到比上述基极区深且比上述深层浅处；源极电极(10)，与上述基极区、上述源极区及上述深层电连接；以及漏极电极(12)，与上述高浓度杂质层电连接；上述深层构成为，具有配置在上述沟槽栅构造的两侧并且沿着上述沟槽栅构造的长边方向形成的条纹状部(5)、和与上述沟槽栅构造的两端对置地配置的前端对置部(30)；在上述基极区，关于与上述沟槽栅构造的两前端中的一方对置的上述前端对置部，从该前端对置部朝向上述沟槽栅构造的前端侧形成有小平面(F)，将从该前端对置部朝向上述沟槽栅构造的前端的方向上的上述小平面(F)的长度设为小平面长L，使从该前端对置部到上述沟槽栅构造的前端的距离比上述小平面长L长。