[发明专利]溅射装置及成膜方法有效
申请号: | 201880007119.8 | 申请日: | 2018-10-11 |
公开(公告)号: | CN110177898B | 公开(公告)日: | 2021-01-01 |
发明(设计)人: | 中村真也;田代征仁 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35 |
代理公司: | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人: | 齐永红 |
地址: | 日本神奈川*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种在溅射烧结靶并成膜时,衬底面内薄膜厚度分布良好成膜的溅射装置。溅射装置(SM)具有:真空室(1),其具有烧结原料粉末而成的靶(31);磁铁单元(4),靶不可旋转地安装在真空室中,所述磁铁单元具有配置在靶上方的同一平面内的磁铁(41,42)并使贯通靶的漏磁场多集中在溅射面上发挥作用;旋转轴(44),其配置在穿过靶中心的中心线(CI)上并与磁铁单元连接;以及驱动电机(45),其旋转驱动旋转轴,使磁铁单元旋转以便漏磁场对于溅射面的作用区域在以靶中心为中心的虚拟圆周上旋转;溅射装置还具有倾斜装置(5),其使旋转轴相对于中心线倾斜以便根据原料粉末烧结时靶的密度分布使各磁铁相对于靶的上表面接近、远离。 | ||
搜索关键词: | 溅射 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种溅射装置,其具有:真空室,其具有烧结原料粉末而成的靶;磁铁单元,以因溅射而被侵蚀的靶面作为溅射面,以靶的厚度方向作为上下方向,以溅射面朝向下方的姿态将靶不可旋转地安装在真空室中,所述磁铁单元具有配置在靶上方的同一平面内的多个磁铁并使贯通靶的漏磁场集中在溅射面上发挥作用;旋转轴,其配置在穿过靶中心的中心线上并与磁铁单元连接;以及驱动电机,其旋转驱动旋转轴,使磁铁单元旋转以便漏磁场对于溅射面的作用区域在以靶中心为中心的虚拟圆周上旋转;所述溅射装置的特征在于:还具有倾斜装置,其使旋转轴相对于中心线倾斜以便根据原料粉末烧结时靶的密度分布使各磁铁相对于靶的上表面接近、远离。
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