[发明专利]隧道磁阻元件的制造方法

摘要

使具有足够厚度的B吸收层与MTJ的上侧CoFeB层邻接并经过磁化退火而实现了期望的TMR比后，高精度地去除该B吸收层。在去除经过了层叠工序以及磁场中热处理工序后的MTJ的上侧CoFeB层(31)的上层(51‑53、61)的干法蚀刻工序中，应用干法蚀刻装置以及识别由该干法蚀刻装置蚀刻的被蚀刻面的材料的分析装置，将蚀刻的结束设为由分析装置检测出所述CoFeB层的正上方B吸收层(51)暴露前的最终层(61、52或者53)减少至规定的水平或者所述正上方B吸收层增加至规定的水平的终点检测时。预先确定好分析装置的终点检测时之后的干法蚀刻装置的过蚀刻量，在层叠工序中，使从所述规定的水平到所述CoFeB层的上表面为止以仅与该过蚀刻量相当的层厚层叠所述正上方B吸收层。

主权项

1.一种隧道磁阻元件的制造方法，在该隧道磁阻元件中，由磁化朝向被固定的固定磁性层、受到来自外部的磁场的影响而磁化朝向发生变化的自由磁性层以及被配置于所述固定磁性层与所述自由磁性层之间的绝缘层形成磁隧道结，根据所述固定磁性层的磁化朝向与所述自由磁性层的磁化朝向的角度差通过隧道效应使绝缘层的电阻变化，所述隧道磁阻元件的制造方法具备：层叠工序，在基板上，按照所述固定磁性层、所述绝缘层的顺序层叠，进而与该绝缘层的上表面相接地层叠CoFeB层，与该CoFeB层的上表面相接地层叠由吸收B的材料形成的正上方B吸收层，包括该正上方B吸收层在内且在所述CoFeB层之上改换材料来层叠2层以上；磁场中热处理工序，对经过了所述层叠工序的层叠体一边施加规定方向的外部磁场一边进行热处理，将构成自由磁性层的所述CoFeB层的易磁化轴与所述固定磁性层的易磁化轴形成为同方向；以及干法蚀刻工序，从经过了所述磁场中热处理工序的层叠体去除包括所述正上方B吸收层为止的部分，在所述干法蚀刻工序中，应用干法蚀刻装置以及识别由该干法蚀刻装置蚀刻的被蚀刻面的材料的分析装置，将由所述干法蚀刻装置进行的蚀刻的结束设为由所述分析装置检测出所述正上方B吸收层暴露之前的最终层减少至规定的水平或者所述正上方B吸收层增加至规定的水平的终点检测时，预先确定好所述分析装置的终点检测时之后的所述干法蚀刻装置的过蚀刻量，在所述层叠工序中，使从所述规定的水平到所述CoFeB层的上表面为止以仅与该过蚀刻量相当的层厚层叠所述正上方B吸收层。