[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装有效
| 申请号： | 201880007864.2 | 申请日： | 2018-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN110199398B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 成演准;金珉成 | 申请（专利权）人： | 苏州立琻半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/38;H01L33/14 |
| 代理公司： | 苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙) 32502 | 代理人： | 滕锦林 |
| 地址： | 215499 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 实施例中公开了一种半导体器件，包括：第一导电半导体层；第二导电半导体层；有源层，设置在第二导电半导体层和第二导电半导体层之间；第一电极，电连接到第一导电半导体层；以及第二电极，电连接到第二导电半导体层，其中，第一导电半导体层包括第一子半导体层、第三子半导体层，以及第二子半导体层，第二子半导体层设置在第一子半导体层和第三子半导体层之间，其中第一子半导体层中的铝的比例和第三子半导体层中的铝的比例二者的每一个均大于有源层中的铝的比例，第二子半导体层中的铝的比例小于第一子半导体层中的铝的比例和第三子半导体层中的铝的比例二者的每一个，其中第二导电半导体层包括电流注入层，其中铝的比例随着与有源层的距离的增加而减小，第一电极设置在第二子半导体层上，第二电极设置在电流注入层上，并且第二子半导体层的铝的比例的平均值与电流注入层的铝的比例的平均值的比率在1：0.12至1：1.6的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 包括 封装 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括第一导电半导体层；第二导电半导体层；有源层，设置在第二导电半导体层和第二导电半导体层之间；第一电极，电连接到第一导电半导体层；以及第二电极，电连接到第二导电半导体层，其中，第一导电半导体层包括第一子半导体层，第三子半导体层，以及第二子半导体层，设置在第一子半导体层和第三子半导体层之间，第一子半导体层中的铝的比例和第三子半导体层中的铝的比例二者的每一个均大于有源层中的铝的比例，第二子半导体层中的铝的比例小于第一子半导体层中的铝的比例和第三子半导体层中的铝的比例二者的每一个，第二导电半导体层包括电流注入层，在所述电流注入层中，铝的比例在远离有源层的方向上减小，第一电极设置在第二子半导体层上，第二电极设置在电流注入层上，并且第二子半导体层的铝的比例的平均值与电流注入层的铝的比例的平均值的比率在1：0.12至1：1.6的范围内。
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