[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201880008015.9 | 申请日： | 2018-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN110214380A | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 李建和;朴修益;李容京;金伯俊;金明燮 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/10;H01L33/36;H01L33/62;H01L33/58;H01L27/15;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 达小丽;夏凯 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 根据实施例的半导体器件可以包括多个发光结构；布置在多个发光结构周围的第一电极；布置在多个发光结构的上表面处的第二电极、电连接到第一电极的第一结合焊盘以及电连接到第二电极的第二结合焊盘。多个发光结构可以包括：第一发光结构，该第一发光结构包括第一导电类型的第一DBR层、布置在第一DBR层上的第一有源层、以及布置在第一有源层上的第二导电类型的第二DBR层；以及第二发光结构，该第二发光结构包括第一导电类型的第三DBR层、布置在第三DBR层上的第二有源层、以及布置在第二有源层上的第二导电类型的第四DBR层。第一电极可以电连接到第一DBR层和第三DBR层，并且布置在第一发光结构和第二发光结构之间。第二电极可以电连接到第二DBR层和第四DBR层，并且布置在第二DBR层的上表面和第四DBR层的上表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 发光结构 电连接 源层 第二电极 第一电极 上表面 第一导电类型 半导体器件 导电类型 结合焊盘 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一发光结构，所述第一发光结构包括第一导电类型的第一DBR层、在所述第一DBR层上布置的第一有源层、以及在所述第一有源层上布置的第二导电类型的第二DBR层；第二发光结构，所述第二发光结构被布置成与所述第一发光结构间隔开并且包括第一导电类型的第三DBR层、在所述第三DBR层上布置的第二有源层、以及在所述第二有源层上布置的第二导电类型的第四DBR层；第一电极，所述第一电极被电连接到所述第一DBR层和所述第三DBR层，并且被布置在所述第一发光结构和所述第二发光结构之间；第二电极，所述第二电极被电连接到所述第二DBR层和所述第四DBR层，并且被布置在所述第二DBR层的上表面和所述第四DBR层的上表面上；第一结合焊盘，所述第一结合焊盘被布置在所述第二发光结构上并且电连接到所述第一电极；以及第二结合焊盘，所述第二结合焊盘被布置在所述第一发光结构上并且电连接到所述第二电极。
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