[发明专利]1T-相过渡金属二硫化物纳米片在审
| 申请号： | 201880008164.5 | 申请日： | 2018-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN110214125A | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·杰夫;安迪奈特·伊基古;伊恩·金洛克 | 申请（专利权）人： | 曼彻斯特大学 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;C25B1/00;C01G39/00;H01G11/30;H01G11/36;H01G11/42 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 英国大*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 一种生产1T‑过渡金属二硫化物少层纳米片和/或者单层纳米片的方法，所述方法包括：锂离子向包含块体2H‑过渡金属二硫化物的负极中的电化学嵌入以提供嵌入电极；和剥离步骤，所述剥离步骤包括将嵌入电极与质子溶剂接触以生产1T‑过渡金属二硫化物少层纳米片和/或单层纳米片。一种电化学电容器，其包括复合电极，所述复合电极包含1T‑MoS2纳米片和石墨烯，以及一种生产用于电化学电容器中的复合电极的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 过渡金属二硫化物 纳米片 复合电极 嵌入 电化学电容器 单层纳米片 电极 少层 剥离 电化学 负极 质子溶剂 石墨烯 锂离子 块体 生产 | ||
【主权项】：
1.一种生产1T‑过渡金属二硫化物少层纳米片和/或单层纳米片的方法，所述方法包括：(i)电化学电池中的电化学嵌入步骤，所述电池包含：负极，所述负极包含块体2H‑过渡金属二硫化物；对电极；以及电解质，所述对电极不为锂，所述电解质包含溶剂中的锂盐，其中所述溶剂能够形成固体电解质界面层；其中，所述电化学嵌入步骤向所述电池施加电位差，从而将锂离子嵌入到所述负极中，以提供嵌入电极；然后(ii)剥离步骤，其包括将所述嵌入电极与质子溶剂接触，以生产所述1T‑过渡金属二硫化物少层纳米片和/或单层纳米片。
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