[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201880008179.1 | 申请日： | 2018-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN110226234B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 坂口拓生;明田正俊;中野佑纪 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/8234;H01L27/06;H01L27/08;H01L29/12;H01L29/861;H01L29/872;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 金成哲;郑毅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，其包含：半导体层，其具有一侧的第一主面和另一侧的第二主面；单位单元，其包含：在所述半导体层的所述第一主面的表层部形成的第一导电型的二极管区域、在所述半导体层的所述第一主面的表层部沿着所述二极管区域的周缘形成的第二导电型的阱区、以及在所述阱区的表层部形成的第一导电型区域；栅极电极层，其隔着栅极绝缘层与所述阱区及所述第一导电型区域对置；以及第一主面电极，其在所述半导体层的所述第一主面上包覆所述二极管区域和所述第一导电型区域，并在与所述二极管区域之间形成肖特基接合，且在与所述第一导电型区域之间形成欧姆接合。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：半导体层，其具有一侧的第一主面和另一侧的第二主面；单位单元，其包含：在所述半导体层的所述第一主面的表层部形成的第一导电型的二极管区域、在所述半导体层的所述第一主面的表层部沿着所述二极管区域的周缘形成的第二导电型的阱区、以及在所述阱区的表层部形成的第一导电型区域；栅极电极层，其隔着栅极绝缘层与所述阱区及所述第一导电型区域对置；以及第一主面电极，其在所述半导体层的所述第一主面上包覆所述二极管区域和所述第一导电型区域，并在与所述二极管区域之间形成肖特基接合，且在与所述第一导电型区域之间形成欧姆接合。
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