[发明专利]用于介电膜的选择性沉积的方法及设备在审
| 申请号： | 201880008386.7 | 申请日： | 2018-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN110226214A | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 李宁;米哈拉·鲍尔西努;夏立群;杨冬青;朱拉拉;马尔科姆·J·贝文;特蕾莎·克莱默·瓜里尼;闫文波 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/3065;C23C16/455;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 处理平台具有带机器人的中央传送站和具有大于或等于约0.1重量％水蒸气的环境，连接到传送站的一侧面的预清洁腔室和连接到传送站的一侧面的批量处理腔室。处理平台经构造以预清洁基板，以从第一表面移除原生氧化物，使用烷基硅烷形成阻挡层并选择性地沉积膜。亦描述了使用处理平台和处理多个晶片的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 传送站 处理平台 预清洁 水蒸气 选择性沉积 原生氧化物 处理腔室 第一表面 设备处理 烷基硅烷 沉积膜 介电膜 阻挡层 基板 晶片 腔室 移除 机器人 | ||
【主权项】：
1.一种处理平台，包括：中央传送站，具有机器人在所述中央传送站中，所述中央传送站具有多个侧面；预清洁腔室，连接到所述中央传送站的第一侧面，所述预清洁腔室经构造以执行湿式蚀刻工艺或干式蚀刻工艺中的一种或多种；及批量处理腔室，连接到所述中央传送站的第二侧面，所述批量处理腔室具有多个由气帘隔开的处理区域，所述批量处理腔室包括基座组件，所述基座组件经构造以围绕中心轴线支撑并旋转多个基板，使得所述基板移动通过所述多个处理区域，其中至少所述中央传送站具有在惰性气体中包含大于或等于约0.1重量％的水蒸气的环境。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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