[发明专利]用于图案化应用的选择性沉积的方案有效
| 申请号： | 201880008558.0 | 申请日： | 2018-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN110226224B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | A·巴斯;A·B·玛里克 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/02;C23C16/455 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖;张鑫 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文描述相对于第二基板表面将膜选择性地沉积至第一基板表面上的方法。所述方法可包括以下步骤：在不保护电介质的情况下，将第二金属沉积于第一金属上；用交联的自组装单层保护所述金属；以及在所述金属受保护的同时，将第二电介质沉积电介质于第一电介质上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 图案 应用 选择性 沉积 方案 | ||
【主权项】：
1.一种选择性沉积方法，包括以下步骤：提供基板，所述基板具有第一金属表面和第一电介质表面；将第二金属膜选择性地沉积于所述第一金属表面上，以形成第二金属表面；通过形成交联的自组装单层来钝化所述第二金属表面以形成钝化层，所述交联的自组装单层包括在约5个至约20个的范围内的碳原子；将第二电介质膜选择性地沉积于所述第一电介质表面上以形成第二电介质表面；以及从所述第二金属表面移除所述钝化层，其中在所述第二金属膜的沉积期间，所述电介质表面不被钝化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
