[发明专利]具有用于基板偏置的ALD的增强的电隔离的卡盘系统和方法在审
申请号: | 201880008633.3 | 申请日: | 2018-01-23 |
公开(公告)号: | CN110225997A | 公开(公告)日: | 2019-09-10 |
发明(设计)人: | M·J·瑟申;A·贝尔吐赫 | 申请(专利权)人: | 超科技公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/458;B33Y80/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种用于执行在基板上形成导电膜的基板偏置的原子层沉积工艺的卡盘系统,包括:导电基板保持器,被构造为支撑基板;以及导电基座,其支撑基板保持器。电隔离层夹在基板保持器和基座之间。电隔离层具有外端和在外边缘中形成并围绕外边缘延伸的边缘凹部。边缘凹部被构造为防止导电膜涂覆边缘凹部的整个内部,从而维持基板保持器和基座之间的电隔离。 | ||
搜索关键词: | 边缘凹部 基板保持器 电隔离层 基板偏置 支撑基板 保持器 电隔离 盘系统 外边缘 原子层沉积工艺 导电基板 导电基座 导电膜涂 导电膜 基板 外端 延伸 | ||
【主权项】:
1.一种卡盘系统,用于执行基板偏置的原子层沉积ALD工艺,所述工艺在基板上形成导电膜,该卡盘系统包括:导电基板保持器,被构造为支撑所述基板;导电基座;以及电气隔离层,夹在所述导电基板保持器和所述导电基座之间并具有外边缘,其中至少一个边缘凹部在所述外边缘中形成并围绕所述外边缘延伸,所述至少一个边缘凹部具有内部,并且尺寸设计成在所述基板偏置的ALD工艺期间防止所述导电膜涂覆所述至少一个凹部的整个内部。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的