[发明专利]晶圆支撑台在审
| 申请号： | 201880009006.1 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN110235237A | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 高桥朋大 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/3065;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 金成哲;宋春华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 晶圆支撑台(20)在具有晶圆载置面(22a)的圆板状的陶瓷基体(22)的内部从晶圆载置面(22a)侧依次埋设有RF电极(23)和加热电极(30)。RF电极(23)由形成于同一平面上的每个熔区的多个RF熔区电极(24、25)构成。多个RF熔区电极(24、25)及加热电极(30)分别独立地连接于设于陶瓷基体(22)的背面(22b)的外侧的多个RF熔区电极用导体(34、35)及配线部件(38、38)。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 熔区 电极 加热电极 陶瓷基体 载置面 支撑台 导体 配线部件 地连接 圆板状 背面 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆支撑台，其在具有晶圆载置面的圆板状的陶瓷基体的内部从上述晶圆载置面侧依次埋设有RF电极和加热电极，上述晶圆支撑台的特征在于，上述RF电极由形成于同一平面上的每个熔区的多个RF熔区电极构成，上述多个RF熔区电极及上述加热电极分别独立地连接于设于上述陶瓷基体的与上述晶圆载置面相反的一侧的面的外侧的多个RF熔区电极用导体及加热电极用导体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
