[发明专利]半导体装置的制造方法及制造装置有效

专利信息
申请号: 201880009167.0 申请日: 2018-01-30
公开(公告)号: CN110235231B 公开(公告)日: 2023-07-25
发明(设计)人: 中村智宣;岛津武仁;鱼本幸 申请(专利权)人: 株式会社新川;国立大学法人东北大学
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 罗英;臧建明
地址: 日本东京武藏村山市伊奈平二丁*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种半导体装置的制造方法及制造装置,其能够利用更简单的顺序及构成来将晶片组件直接接合于接合对象物。将芯片组件的电极部直接接合于接合对象物即基板上所设置的被接合部的接合方法,包括:将所述基板载置于液槽内的平台的步骤(步骤S10);将液体注入至所述液槽内的步骤(步骤S14);以及在所述液槽所积存的液体中,使接合头所保持的所述芯片组件重合于所述接合对象物而进行加压,由此,将所述芯片组件的电极部接合于所述接合对象物的被接合部(电极部)的步骤(步骤S22)。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体装置的制造方法,将芯片组件的电极部直接接合于设在接合对象物的被接合部,所述半导体装置的制造方法的特征在于,包括:载置步骤,其将所述接合对象物载置于液槽内;液体注入步骤,其将液体注入至所述液槽内;以及在所述液槽所积存的液体中,使接合头所保持的所述芯片组件重合于所述接合对象物,由此,将所述电极部接合于所述被接合部的步骤。
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