[发明专利]半导体装置的制造方法及制造装置有效
申请号: | 201880009167.0 | 申请日: | 2018-01-30 |
公开(公告)号: | CN110235231B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 中村智宣;岛津武仁;鱼本幸 | 申请(专利权)人: | 株式会社新川;国立大学法人东北大学 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 罗英;臧建明 |
地址: | 日本东京武藏村山市伊奈平二丁*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种半导体装置的制造方法及制造装置,其能够利用更简单的顺序及构成来将晶片组件直接接合于接合对象物。将芯片组件的电极部直接接合于接合对象物即基板上所设置的被接合部的接合方法,包括:将所述基板载置于液槽内的平台的步骤(步骤S10);将液体注入至所述液槽内的步骤(步骤S14);以及在所述液槽所积存的液体中,使接合头所保持的所述芯片组件重合于所述接合对象物而进行加压,由此,将所述芯片组件的电极部接合于所述接合对象物的被接合部(电极部)的步骤(步骤S22)。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置的制造方法,将芯片组件的电极部直接接合于设在接合对象物的被接合部,所述半导体装置的制造方法的特征在于,包括:载置步骤,其将所述接合对象物载置于液槽内;液体注入步骤,其将液体注入至所述液槽内;以及在所述液槽所积存的液体中,使接合头所保持的所述芯片组件重合于所述接合对象物,由此,将所述电极部接合于所述被接合部的步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社新川;国立大学法人东北大学,未经株式会社新川;国立大学法人东北大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201880009167.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造