[发明专利]III-V族化合物半导体基板和带有外延层的III-V族化合物半导体基板有效
| 申请号： | 201880009481.9 | 申请日： | 2018-05-01 |
| 公开（公告）号： | CN110234801B | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 藤原新也;三好知顕 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B29/42 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;牛嵩林 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种作为III‑V族化合物半导体基板的磷化铟基板，其在主表面上以0.22个粒子/cm |
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| 搜索关键词： | iii 化合物 半导体 带有 外延 | ||
【主权项】：
1.一种III‑V族化合物半导体基板，所述III‑V族化合物半导体基板为磷化铟基板，其中，所述III‑V族化合物半导体基板在主表面上以0.22个粒子/cm2以下的量包含粒度为0.19μm以上的粒子。
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