[发明专利]OTS设备的制造方法以及OTS设备在审
| 申请号： | 201880009756.9 | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN111357085A | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 安炯祐;堀田和正;沢田贵彦;山本直志 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/8239;H01L27/105;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 刁兴利;康泉 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的OTS设备的制造方法是在绝缘性的基板上，依次重叠配置第一导电部、由硫族化合物构成的OTS部以及第二导电部而成的OTS设备的制造方法。该制造方法包括：工程A，在所述基板的一面的整个区域形成所述第一导电部；工程B，在所述第一导电部的整个区域形成所述OTS部；工序C，在所述OTS部的整个区域形成所述第二导电部；工程D，以覆盖所述第二导电部的上表面的一部分的方式形成抗蚀剂；工序E，对未覆盖所述抗蚀剂的区域进行干法蚀刻；以及工序F，对所述抗蚀剂进行灰化。在所述工序E，在所述区域的深度方向上，通过一次蚀刻对所述第二导电部、所述OTS部的全部以及所述第一导电部的上部进行处理并去除。 | ||
| 搜索关键词： | ots 设备 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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