[发明专利]吡锭盐化合物，其合成方法，包括所述吡锭盐化合物的金属或金属合金电镀浴，及所述金属或金属合金电镀浴的使用方法

摘要

本发明涉及吡锭盐化合物、用于其制备的合成方法、含有所述吡锭盐化合物的金属或金属合金电镀浴，及所述金属或金属合金电镀浴的使用方法。所述电镀浴尤其适合用于填充电子及半导体行业中的凹陷结构，包含双镶嵌应用。

主权项

1.一种化合物，其包括根据式(I)的构筑嵌段：其中各A表示独立地选自下式(A1)及(A2)的单元：其中R^a1、R^a2、R^a3及R^a5各自独立地选自由以下组成的群：C1‑C12‑烷二基及‑(CH₂)_c‑[CH(R^a6)‑CH₂‑O]_d‑(CH₂)_e‑，其中c为范围介于0至3的整数；d为范围介于1至100的整数；e为范围介于1至3的整数；各R^a6彼此独立地选自由以下组成的群：氢、烷基、芳基及芳烷基；各R^a4独立地选自由以下组成的群：烷二基、芳二基及‑(CH₂)_f‑[CH(R^a7)‑CH₂‑O]_g‑(CH₂)_h‑，其中f为范围介于0至3的整数；g为范围介于1至100的整数；h为范围介于1至3的整数；各R^a7彼此独立地选自由以下组成的群：氢、烷基、芳基及芳烷基；各X¹及X²独立地选自由以下组成的群：其中Z选自‑CH₂‑、O、S；z及z'为范围独立地介于1至6的整数，各R^a8及R^a9独立地选自由以下组成的群：氢、烷基、芳基、芳烷基及‑CH₂‑CH₂‑(OCH₂CH₂)_y‑OH，其中y为1至4的整数；各Y¹、Y²及Y³独立地选自由O及N(R^a10)组成的群，其中各R^a10独立地选自由以下组成的群：氢、烷基、芳基及芳烷基；a为范围介于1至40的整数；且各D独立地选自由以下组成的群：‑CH₂‑CH(OH)‑CH₂‑、‑CH₂‑CH(SH)‑CH₂‑、‑(CH₂)_i‑[CH(R^d1)‑CH₂‑O]_j‑(CH₂)_k‑及‑CH₂‑CH(OH)‑(CH₂)_l‑[CH(R^d2)‑CH₂‑O]_m‑(CH₂)_n‑CH(OH)‑CH₂‑其中i为范围介于0至3的整数；j为范围介于1至100的整数；k为范围介于1至3的整数；各R^d1彼此独立地选自由以下组成的群：氢、烷基、芳基及芳烷基；l为范围介于1至3的整数；m为范围介于1至100的整数；n为范围介于1至3的整数；各R^d2彼此独立地选自由以下组成的群：氢、烷基、芳基及芳烷基。