[发明专利]用于transcap面积优化的布局技术有效
| 申请号： | 201880011020.5 | 申请日： | 2018-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN110268527B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | F·A·马里诺;P·梅内戈里;N·卡尼克;F·卡罗博兰特 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01G7/00;H01L27/08;H01L29/93;H01L29/94 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;傅远 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的某些方面提供了一种半导体可变电容器。半导体可变电容器通常包括半导体区域、设置在半导体区域上方的绝缘层、以及设置在绝缘层上方的第一非绝缘区域。在某些方面，第二非绝缘区域邻近半导体区域设置，控制区域邻近半导体区域设置，使得第一非绝缘区域与第二非绝缘区域之间的电容被配置为通过改变施加到控制区域的控制电压来调节。在某些方面，第一非绝缘区域设置在半导体区域的第一部分和半导体区域的第二部分上方，并且半导体区域的第一部分和第二部分分别邻近控制区域或第二非绝缘区域的第一侧和第二侧设置。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 transcap 面积 优化 布局 技术 | ||
【主权项】：
1.一种半导体可变电容器，包括：半导体区域；绝缘层，设置在所述半导体区域上方；第一非绝缘区域，设置在所述绝缘层上方；第二非绝缘区域，邻近所述半导体区域设置；以及控制区域，邻近所述半导体区域设置，使得所述第一非绝缘区域与所述第二非绝缘区域之间的电容被配置为通过改变施加到所述控制区域的控制电压来调节，其中：所述第一非绝缘区域设置在所述半导体区域的第一部分和所述半导体区域的第二部分上方；以及所述半导体区域的所述第一部分和所述第二部分分别邻近所述控制区域或所述第二非绝缘区域的第一侧和第二侧设置。
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