[发明专利]有源矩阵基板

摘要

一种有源矩阵基板，具备包含支撑于基板(1)的TFT(30A)的周边电路，在从基板(1)的法线方向观看时，TFT(30A)的第1栅极电极(3)具有相互相对的第1缘部和第2缘部(3e1、3e2)，第1缘部和第2缘部在沟道宽度方向上横穿氧化物半导体层(7)而延伸，第1缘部和第2缘部中的至少一方在与氧化物半导体层(7)重叠的区域具有：在沟道长度方向上凹陷的第1凹部(40)；以及与第1凹部在沟道宽度方向上相邻的第1部分(41)，在从基板(1)的法线方向观看时，TFT(30A)的源极电极(8)或漏极电极(9)是与第1凹部(40)的至少一部分以及第1部分(41)的至少一部分重叠的。

主权项

1.一种有源矩阵基板，具有：显示区域，其包含多个像素；以及非显示区域，其设置在上述显示区域的周边，具备：基板；至少1个TFT，其支撑于上述基板，并且配置在上述非显示区域；以及周边电路，其包含上述至少1个TFT，上述有源矩阵基板的特征在于，上述至少1个TFT具有：第1栅极电极；栅极绝缘层，其覆盖上述第1栅极电极；氧化物半导体层，其以隔着上述栅极绝缘层与上述第1栅极电极至少部分地重叠的方式配置在上述栅极绝缘层上；源极电极，其以与上述氧化物半导体层的一个端部接触的方式配置在上述氧化物半导体层上；以及漏极电极，其以与上述氧化物半导体层的另一个端部接触的方式配置在上述氧化物半导体层上，在从上述基板的法线方向观看时，上述第1栅极电极具有相互相对的第1缘部和第2缘部，上述第1缘部和上述第2缘部在上述至少1个TFT的沟道宽度方向上横穿上述氧化物半导体层而延伸，上述第1缘部和上述第2缘部中的至少一方在与上述氧化物半导体层重叠的区域具有：在上述至少1个TFT的沟道长度方向上凹陷的第1凹部；以及与上述第1凹部在上述沟道宽度方向上相邻的第1部分，在从上述基板的法线方向观看时，上述源极电极或上述漏极电极是与上述第1凹部的至少一部分以及上述第1部分的至少一部分重叠的。