[发明专利]通过FZ法提拉单晶的方法和设备

摘要

本发明涉及通过FZ法提拉单晶的方法，其中借助于电磁熔化装置熔化多晶(100)，然后使其再结晶，其中在第一阶段中，借助于所述熔化装置熔化所述多晶(100)的下端，其中在第二阶段中，使单晶晶种(140)附着至所述多晶(100)的所述下端，并从所述晶种(140)的上端开始熔化，其中在第三阶段中，在所述晶种(140)的下区段和所述多晶(100)之间，形成直径(dD)小于所述晶种(140)的直径(dI)的细颈区段(130)，其中在第四阶段中，在所述细颈区段(130)和所述多晶(100)之间，形成所述单晶的锥形区段，其中，在达到所述第四阶段之前，确定所述多晶(100)的转换位置(h')，即所述多晶(100)相对于所述熔化装置移动的速率在量上将要降低的位置，并且其中在所述第四阶段中，当达到所述转换位置(h')时，所述多晶(100)相对于所述熔化装置移动的所述速率在量上降低，并且还涉及相应的设备。

主权项

1.一种通过FZ法提拉单晶(150)的方法，其中借助于电磁熔化装置(300)熔化多晶(100)，然后使其再结晶，其中在第一阶段(P₁)中，借助于所述熔化装置(300)熔化所述多晶(100)的下端，其中在第二阶段(P₂)中，使单晶晶种(140)附着至所述多晶(100)的所述下端，并从所述晶种(140)的上端开始熔化，其中在第三阶段(P₃)中，在所述晶种(140)的下区段和所述多晶(100)之间，形成直径(d_D)小于所述晶种(140)的直径(d_I)的细颈区段(130)，并且其中在第四阶段(P₄)中，在所述细颈区段(130)和所述多晶(100)之间，形成所述单晶的锥形区段(135)，其中，在达到所述第四阶段(P₄)之前，确定所述多晶(100)的转换位置(h')，其是所述多晶(100)相对于所述熔化装置(300)移动的速率在量上将要降低的位置，并且其中在所述第四阶段(P₄)中，当达到所述转换位置(h')时，所述多晶(100)相对于所述熔化装置(300)移动的所述速率在量上降低。