[发明专利]环绕式栅极结构和形成环绕式栅极结构的方法在审
| 申请号： | 201880011916.3 | 申请日： | 2018-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN110301049A | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | R·P·K·维杜拉;S·A·法内利;F·阿扎齐 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/66;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;郭星 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括沟道结构，该沟道结构包括第一氧化物层、第二氧化物层和在第一氧化物层与第二氧化物层之间的沟道区域。该半导体器件包括在沟道结构的至少三个侧面附近的第一栅极结构。该半导体器件包括在沟道结构的至少第四侧面附近的第二栅极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道结构 氧化物层 栅极结构 半导体器件 环绕式 沟道区域 侧面 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：通过在穿过绝缘体上硅(SOI)晶片的半导电层和掩埋氧化物层的第一沟槽中以及在穿过所述半导电层和所述掩埋氧化物层的第二沟槽中沉积第一材料来形成第一栅极结构，所述第一栅极结构被形成在沟道结构的至少三个侧面附近，其中所述沟道结构包括第一氧化物层、第二氧化物层和在所述第一氧化物层与所述第二氧化物层之间的沟道区域；以及在所述沟道结构的第四侧面附近形成第二栅极结构。
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