[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201880011999.6 | 申请日： | 2018-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN110301044B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 约亨·克拉夫特;乔治·帕特德尔;安德森·辛格拉尼;拉斐尔·科佩塔;弗朗兹·施兰克 | 申请（专利权）人： | AMS有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 谢攀;刘继富 |
| 地址： | 奥地利普*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体器件包括半导体本体和导电通孔，该导电通孔延伸通过半导体本体的至少一部分，其中通孔具有在第一横向方向上给出的横向尺寸，该第一横向方向垂直于由通孔的主延伸轴线给出的垂直方向，并且其中通孔具有顶侧和背离顶侧的底侧。半导体器件还包括被布置在通孔的底侧处的平行于第一横向方向的平面中的导电蚀刻停止层，以及位于通孔的底部侧的平行于第一横向方向的平面中的至少一个导电接触层。蚀刻停止层在第一横向方向上的横向范围大于通孔的横向尺寸，并且接触层在第一横向方向上的横向范围小于通孔的横向尺寸。此外，蚀刻停止层在垂直方向上被布置在导电通孔与接触层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件(10)，包括：‑半导体本体(11)，‑导电通孔(12)，其延伸通过所述半导体本体(11)的至少一部分，其中，所述通孔(12)具有在第一横向方向(x)上给出的横向尺寸，所述第一横向方向(x)垂直于由所述通孔(12)的主延伸轴给出的垂直方向(z)，并且其中，所述通孔(12)具有顶侧(13)和背离所述顶侧(13)的底侧(14)，‑导电的蚀刻停止层(15)，其被布置在所述通孔(12)的底侧(14)处的与所述第一横向方向(x)平行的平面中，以及‑至少一个导电接触层(16)，其位于所述通孔(12)的底侧(14)处的与所述第一横向方向(x)平行的平面中，其中：‑所述蚀刻停止层(15)在所述第一横向方向(x)上的横向范围大于所述通孔(12)的横向尺寸，‑所述接触层(16)在所述第一横向方向(x)上的横向范围小于所述通孔(12)的横向尺寸，以及‑所述蚀刻停止层(15)在所述垂直方向(z)上被布置在所述导电通孔(12)与所述接触层(16)之间。
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