[发明专利]X射线源和用于控制X射线辐射的方法有效
| 申请号： | 201880012008.6 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN110382047B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 卡尔曼·费什曼;布莱恩·帕特里克·威尔弗莱;克里斯托弗·W·埃勒诺;唐纳德·奥尔加多;顾纯元;托比亚斯·芬克;佩特·瓦塔霍夫;克里斯托弗·R·米切尔 | 申请（专利权）人： | 胜赛斯医疗有限责任公司 |
| 主分类号： | H01J35/00 | 分类号： | H01J35/00;A61N5/00;A61N5/10;A61B5/00;A61B5/103 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝 |
| 地址： | 美国佛*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 三维束形成X射线源包括电子束发生器(EBG)以产生电子束。靶元件设置在距EBG预定距离处并且定位成拦截电子束。靶元件响应于电子束以产生X射线辐射。束形成器靠近靶元件设置，并且包括与X射线辐射相互作用的材料以形成X射线束。EBG控制系统通过选择性地改变电子束与靶元件相交的位置来控制X射线束的束图案和方向中的至少一个，以控制X射线辐射与束形成器的相互作用。 | ||
| 搜索关键词： | 射线 用于 控制 辐射 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于控制X射线辐射的方法，包括：产生电子束；将靶元件定位在所述电子束的路径中；作为所述电子束与所述靶元件相互作用的结果，产生X射线辐射；使所述X射线辐射与设置在所述靶元件附近的束形成器结构相互作用以形成X射线束；和通过选择性地改变所述电子束与所述靶元件相交的位置来控制所述X射线束的束图案和方向中的至少一个，以确定所述X射线辐射与所述束形成器结构的相互作用。
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