[发明专利]基片处理装置和处理系统在审
| 申请号： | 201880012792.0 | 申请日： | 2018-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN110313077A | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 前原大树;渡边直树;石井亨;中村贯人;斋藤诚;D·赫尔利;I·科尔冈 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;C23C14/58;H01L21/26;H01L21/324;H01L21/677;H01L21/8239;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一个实施方式中的基片处理装置(10)和处理系统(100)对具有磁性层的基片(W)进行单片式处理，包括：支承基片的支承部(PP)；加热由支承部支承的基片的加热部(HT)；冷却由支承部支承的基片的冷却部(CR)；用于产生磁场的磁铁部(2)；和收纳支承部、加热部及冷却部的处理容器(1)，磁铁部包括彼此平行地延伸的第一端面(2a1)和第二端面(2b1)，第一端面与第二端面隔开间隔地相对，第一端面对应于磁铁部的第一磁极，第二端面对应于磁铁部的第二磁极，处理容器配置在第一端面与第二端面之间。 | ||
| 搜索关键词： | 磁铁部 支承部 基片处理装置 磁极 处理容器 处理系统 加热部 冷却部 支承 单片式处理 收纳 彼此平行 隔开间隔 支承基片 磁性层 磁场 加热 冷却 延伸 配置 | ||
【主权项】：
1.一种对具有磁性层的基片进行单片式处理的基片处理装置，其特征在于，包括：支承所述基片的支承部；加热由所述支承部支承的所述基片的加热部；冷却由所述支承部支承的所述基片的冷却部；收纳所述支承部、所述加热部及所述冷却部的处理容器；和产生磁场的磁铁部，所述磁铁部包括彼此平行地延伸的第一端面和第二端面，所述第一端面与所述第二端面隔开间隔地相对，所述第一端面对应于所述磁铁部的第一磁极，所述第二端面对应于所述磁铁部的第二磁极，所述处理容器配置在所述第一端面与所述第二端面之间。
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