[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法、电力变换装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201880012998.3 | 申请日： | 2018-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN110366782B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 足立亘平;菅原胜俊;福井裕;八田英之;田中梨菜 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 李今子 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 漂移层(2)包含碳化硅，具有第1导电类型。沟槽底部保护层(7)设置于栅沟槽(6)的底部，具有第2导电类型。耗尽化抑制层(8)设置于栅沟槽(6)的侧面与漂移层(2)之间，从主体区域(5)的下部延伸至比栅沟槽(6)的底部深的位置，具有第1导电类型，具有比漂移层(2)具有的第1导电类型的杂质浓度高的第1导电类型的杂质浓度。耗尽化抑制层(8)具有的第1导电类型的杂质浓度随着远离栅沟槽(6)的侧面而降低。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 及其 制造 方法 电力 变换 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅半导体装置(71～77)，具备：漂移层(2)，包含碳化硅，具有第1导电类型；主体区域(5)，设置于所述漂移层(2)上，具有与所述第1导电类型不同的第2导电类型；源区域(3)，设置于所述主体区域(5)上，具有所述第1导电类型；栅绝缘膜(9)，设置于到达至比所述主体区域(5)深的位置的至少1个栅沟槽(6)内，与所述主体区域(5)及所述源区域(3)面对；栅电极(10)，设置于所述栅沟槽(6)内，隔着所述栅绝缘膜(9)与所述主体区域(5)面对；源电极(11)，与所述源区域(3)电连接；沟槽底部保护层(7)，设置于所述栅沟槽(6)的底部，具有所述第2导电类型；以及耗尽化抑制层(8)，设置于所述栅沟槽(6)的侧面与所述漂移层(2)之间，从所述主体区域(5)的下部延伸至比所述栅沟槽(6)的底部深的位置，具有所述第1导电类型，具有比所述漂移层(2)具有的所述第1导电类型的杂质浓度高的所述第1导电类型的杂质浓度，所述耗尽化抑制层(8)具有的所述第1导电类型的杂质浓度随着远离所述栅沟槽(6)的侧面而降低。
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