[发明专利]用于处理腔室的气体分配设备在审
| 申请号： | 201880013181.8 | 申请日： | 2018-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN110326095A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | D·R·杜鲍斯;K·N·祝;K·嘉纳基拉曼 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C23C16/44;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 汪骏飞;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文所说明的实施例大体涉及用于在基板上沉积材料的设备与方法。在一个实现中，用于处理基板的处理腔室包含腔室主体与基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述腔室主体中并且适于支撑基板。所述处理腔室包含定位在所述基板支撑件上方的多个气体入口，以在所述基板支撑件上方引导处理气体。可移动式扩散器通过枢转架座被可枢转地安装为与所述基板支撑件相邻。所述可移动式扩散器包含沉积头，所述沉积头具有多个入口开口与多个排气开口，所述多个入口开口用于将处理气体导向所述基板支撑件，所述多个排气开口用于对所述可移动式扩散器设置在所述基板支撑件上方的处理气体提供排气。 | ||
| 搜索关键词： | 基板支撑件 处理腔室 可移动式 扩散器 排气 处理气体 腔室主体 入口开口 沉积头 开口 气体分配设备 沉积材料 处理基板 可枢转地 气体入口 引导处理 支撑基板 枢转架 基板 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理基板的处理腔室，包含：腔室主体；基板支撑件，所述基板支撑件被设置在所述腔室主体内；多个气体入口，所述多个气体入口被定位在所述基板支撑件上方；以及可移动式扩散器，所述可移动式扩散器通过枢转架座被可枢转地安装，所述枢转架座被设置为与所述基板支撑件相邻，所述可移动式扩散器包含：沉积头，所述沉积头具有多个入口开口，所述多个入口开口用于将处理气体导向所述基板支撑件；以及多个排气开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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