[发明专利]半导体存储装置在审
| 申请号： | 201880014096.3 | 申请日： | 2018-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN110447102A | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 小柳胜 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;G11C5/04;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能降低制造成本的半导体存储装置。一实施方式的半导体存储装置具备：第1衬底；第1元件层，设置在所述第1衬底的上表面上；第2衬底；及第2元件层，设置在所述第2衬底的上表面上。所述第1衬底包含第1通孔。所述第1元件层包含与所述第1通孔电连接且设置在所述第1元件层的上表面上的第1焊垫，所述第2衬底包含第2通孔。所述第2元件层包含与所述第2通孔电连接且设置在所述第2元件层的上表面上的第2焊垫。所述第2元件层的上表面对向地设置在上位第1元件层的上表面上。所述第1焊垫及所述第2焊垫相对于所述第1元件层及所述第2元件层相对向的面而对称地设置，且相互电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 元件层 上表面 衬底 焊垫 通孔 半导体存储装置 电连接 制造成本 对向 对称 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，具备：第1衬底；第1元件层，设置在所述第1衬底的上表面上；第2衬底；及第2元件层，设置在所述第2衬底的上表面上；且所述第1衬底包含第1通孔，所述第1元件层包含与所述第1通孔电连接且设置在所述第1元件层的上表面上的第1焊垫，所述第2衬底包含第2通孔，所述第2元件层包含与所述第2通孔电连接且设置在所述第2元件层的上表面上的第2焊垫，所述第2元件层的上表面对向地设置在所述第1元件层的上表面上，所述第1焊垫及所述第2焊垫相对于所述第1元件层及所述第2元件层相对向的面而对称地设置，且相互电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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