[发明专利]太阳能电池及太阳能电池的制造方法在审
| 申请号： | 201880014246.0 | 申请日： | 2018-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN110337729A | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 上迫浩一;新井杰也;菅原美爱子;小林贤一;小宫秀利;松井正五;锦织润 | 申请（专利权）人： | 亚特比目有限会社 |
| 主分类号： | H01L31/05 | 分类号： | H01L31/05 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种太阳能电池及太阳能电池的制造方法，其目的为：在硅基板(1)的表面的指状电极(3)直接焊接带状导线(5)，使电阻成分减少且使电子泄漏减少，并使带状导线(5)直接焊接在氮化膜(2)而予以牢固地固定。太阳能电池构成为：朝与从绝缘膜上所形成的区域取出电子的指状电极(3)垂直的方向以一定的宽度b遍及具有指状电极(3)的部分及未具有指状电极(3)的绝缘膜(2)的部分使用焊料(6)焊接取出线(5)，通过取出线(5)将来自指状电极(3)的电子取出至外部，并使取出线(5)固定在基板(1)。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 指状电极 取出线 带状导线 直接焊接 绝缘膜 取出 焊料 电子泄漏 垂直的 氮化膜 硅基板 电阻 基板 焊接 制造 外部 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池，在基板上形成照射光等时会产生高电子浓度的区域，并在该区域上形成光等会穿透的绝缘膜，在该绝缘膜上形成做为从所述区域取出电子的取出口的指状电极，经由该指状电极将所述电子取出至外部，其中，朝与从所述绝缘膜上所形成的所述区域取出电子的指状电极垂直的方向以一定的宽度b遍及具有所述指状电极的部分及未具有所述指状电极的所述绝缘膜的部分使用焊料焊接取出线，且通过取出线将来自所述指状电极的电子取出至外部并使该取出线固定在所述基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
