[发明专利]热电装置有效
| 申请号： | 201880014495.X | 申请日： | 2018-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN110366785B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | C·保利 | 申请（专利权）人： | IEE国际电子工程股份公司 |
| 主分类号： | H01L35/32 | 分类号： | H01L35/32 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王琼先 |
| 地址： | 卢森堡埃*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种热电装置(1)。为了提供用于有效的热电冷却的手段，本发明提供热电装置(1)具有沟道部(50)，该沟道部(50)包括由拓扑绝缘体材料制成并且具有带有至少一个沟槽(12)的顶表面(11)的至少一个沟道层(10)，其中每个沟槽(12)的每个侧表面(12.1)包括带有一对拓扑保护的一维电子沟道(15)的导电区(14)，每个沟道层(10)包括配置用于类似电子传导的至少一个n区域(10.3)和配置用于类似空穴传导的至少一个p区域(10.4)，所述n区域(10.3)和p区域(10.4)交替地设置并从沟道层(10)的第一端(10.1)延伸至第二端(10.2)，每个n区域(10.3)包括从第一端(10.1)处的第一电极(16，17，18)延伸至第二端(10.2)处的第二电极(19)的至少一个n沟槽(12.3)，并且每个p区域(10.4)包括从第二电极(19)延伸至第一电极(17，18，19)的至少一个p沟槽(12.5)，其中第一电极(16，17，18)和第二电极(19)交替地设置以连接相邻区域(10.3，10.4)的p沟槽(12.5)和n沟槽(12.3)，由此串联连接所有的p沟槽(12.5)和n沟槽(12.3)。 | ||
| 搜索关键词： | 热电 装置 | ||
【主权项】：
1.具有沟道部(50)的热电装置(1)，所述沟道部(50)包括由拓扑绝缘体材料制成并且具有带有至少一个沟槽(12)的顶表面(11)的至少一个沟道层(10)，其中每个沟槽(12)的每个侧表面(12.1)包括带有一对拓扑保护的一维电子沟道(15)的导电区(14)，每个沟道层(10)包括配置用于电子型传导的至少一个n区域(10.3)和配置用于空穴型传导的至少一个p区域(10.4)，所述n区域(10.3)和p区域(10.4)交替地设置并从所述沟道层(10)的第一端(10.1)延伸至第二端(10.2)，每个n区域(10.3)包括从所述第一端(10.1)处的第一电极(16，17，18)延伸至所述第二端(10.2)处的第二电极(19)的至少一个n沟槽(12.3)，并且每个p区域(10.4)包括从第二电极(19)延伸至第一电极(17，18，19)的至少一个p沟槽(12.5)，其中所述第一电极(16，17，18)和所述第二电极(19)交替地设置以连接相邻区域(10.3，10.4)的所述p沟槽(12.5)和n沟槽(12.3)，由此串联连接所有的p沟槽(12.5)和n沟槽(12.3)。
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