[发明专利]多晶片温度控制装置及用于控制多晶片功率模块的温度的方法有效
| 申请号： | 201880014558.1 | 申请日： | 2018-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN110446910B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | J·万楚克;J·布兰德雷洛 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G01K3/06 | 分类号： | G01K3/06;H02M1/32 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于控制包括多个晶片的多晶片功率模块的温度的方法，多晶片温度控制装置接收输入信号并且独立地驱动多晶片功率模块的晶片。多晶片温度控制：‑在多晶片功率模块的晶片当中的一个晶片不导通时获得表示该一个晶片的温度的信号，‑在多晶片功率模块的所有晶片不导通时获得表示取决于所有晶片的温度的参考温度的信号，‑将表示一个晶片的温度的信号与表示参考温度的信号进行比较，‑根据比较结果减少晶片的导通时间的持续时间或减少多晶片功率模块的其它晶片的导通时间的持续时间。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 温度 控制 装置 用于 功率 模块 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于控制包括多个晶片的多晶片功率模块的温度的方法，多晶片温度控制装置接收输入信号并且独立地驱动所述多晶片功率模块的所述晶片，其特征在于，该方法由所述多晶片温度控制装置执行并且包括以下步骤：‑在所述多晶片功率模块的所述晶片当中的一个晶片不导通时，获得表示所述一个晶片的温度的信号，‑在所述多晶片功率模块的所有晶片不导通时，获得表示取决于所有晶片的温度的参考温度的信号，‑将表示所述一个晶片的温度的信号与表示所述参考温度的信号进行比较，‑根据比较结果减少所述晶片的导通时间的持续时间或者减少所述多晶片功率模块的其它晶片的导通时间的持续时间。
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