[发明专利]太阳能单电池

摘要

太阳能单电池(10)包括具有受光面及背面的第1导电型的半导体衬底(20)、设置于背面上的第1导电型的第1半导体层(50)、和设置于背面上的第2导电型的第2半导体层(51)，半导体衬底(20)具有：具有第1导电型的杂质的第1杂质区域(40)；和设置于第1杂质区域(40)与第1半导体层(50)之间的、具有第1导电型的杂质的第3杂质区域(42)，第3杂质区域(42)的第1导电型的杂质浓度高于第1杂质区域(40)的第1导电型的杂质浓度，半导体衬底(20)与第1半导体层(50)的接合是异质结。

主权项

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：具有受光面和背面的第1导电型的半导体衬底；形成在所述背面上的第1导电型的第1半导体层；与形成在所述背面上的第1导电型为相反导电型的第2导电型的第2半导体层；与所述第1半导体层电连接的第1电极；和与所述第2半导体层电连接的第2电极，所述半导体衬底具有：具有第1导电型的杂质的第1杂质区域；和第3杂质区域，其形成于所述第1杂质区域与所述第1半导体层之间，具有第1导电型的杂质，所述第3杂质区域的第1导电型的杂质浓度高于所述第1杂质区域的第1导电型的杂质浓度，所述半导体衬底与所述第1半导体层的接合是异质结。