[发明专利]具有气隙和保护层的IC结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201880014887.6 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN110383472B | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | S·拉朱;陈文新;C·C·普拉武图 | 申请（专利权）人： | 香港科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京世峰知识产权代理有限公司 11713 | 代理人： | 卓霖;许向彤 |
| 地址： | 中国香港*** | 国省代码： | 香港;81 |
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| 摘要： | 提供了一种集成电路结构及其制造方法。该集成电路结构包括：基板；位于基板上的多个互连结构，该互连结构中的每个包括侧表面和顶表面，该侧表面在其间直接限定气隙，以将互连结构彼此隔离；以及平面的保护层，保护层位于多个互连结构的顶部上以覆盖所有气隙。保护层包括掩蔽膜和支撑膜。 | ||
| 搜索关键词： | 有气 保护层 ic 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路结构，包括：基板；位于所述基板上的多个互连结构，其中，所述互连结构中的每个包括侧表面和顶表面，并且所述侧表面直接在所述侧表面之间限定气隙，以将所述互连结构彼此隔离；以及平面的保护层，所述保护层位于所述多个互连结构的顶部上以覆盖所有气隙。
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